د څنډې د خپریدو لیزر (EEL) پیژندنه

د څنډې د خپریدو لیزر (EEL) پیژندنه
د لوړ ځواک لرونکي سیمیکمډکټر لیزر محصول ترلاسه کولو لپاره، اوسنۍ ټیکنالوژي د څنډې اخراج جوړښت کارول دي. د څنډې اخراج کونکي سیمیکمډکټر لیزر ریزونیټر د سیمیکمډکټر کرسټال طبیعي جلا کولو سطح څخه جوړ شوی دی، او د محصول بیم د لیزر د مخکینۍ پای څخه خارج کیږي. د څنډې اخراج ډول سیمیکمډکټر لیزر کولی شي لوړ بریښنا تولید ترلاسه کړي، مګر د هغې د محصول ځای بیضوي دی، د بیم کیفیت ضعیف دی، او د بیم شکل باید د بیم شکل ورکولو سیسټم سره تعدیل شي.
لاندې ډیاګرام د څنډې خپریدونکي سیمیکمډکټر لیزر جوړښت ښیې. د EEL آپټیکل غار د سیمیکمډکټر چپ سطحې سره موازي دی او د سیمیکمډکټر چپ په څنډه کې لیزر خارجوي، کوم چې کولی شي د لوړ ځواک، لوړ سرعت او ټیټ شور سره د لیزر محصول احساس کړي. په هرصورت، د EEL لخوا د لیزر بیم محصول عموما غیر متناسب بیم کراس سیکشن او لوی زاویه توپیر لري، او د فایبر یا نورو آپټیکل اجزاو سره د یوځای کولو موثریت ټیټ دی.

د EEL د تولید ځواک زیاتوالی په فعاله سیمه کې د فاضله تودوخې راټولیدو او په سیمیکمډکټر سطحه د نظري زیان له امله محدود دی. د تودوخې ضایع کیدو ښه کولو لپاره په فعاله سیمه کې د فاضله تودوخې راټولیدو کمولو لپاره د ویو ګایډ ساحې زیاتولو سره، د بیم د نظري بریښنا کثافت کمولو لپاره د رڼا تولید ساحه زیاتولو سره ترڅو د نظري زیان څخه مخنیوی وشي، د واحد ټرانسورس حالت ویو ګایډ جوړښت کې تر څو سوه ملی واټ پورې د تولید ځواک ترلاسه کیدی شي.
د ۱۰۰ ملي متري ویو ګایډ لپاره، یو واحد څنډه-ایمیټینګ لیزر کولی شي لسګونه واټ تولیدي ځواک ترلاسه کړي، مګر پدې وخت کې د ویو ګایډ د چپ په الوتکه کې خورا څو موډ دی، او د تولید بیم اړخ تناسب هم ۱۰۰:۱ ته رسیږي، چې د بیم شکل ورکولو پیچلي سیسټم ته اړتیا لري.
په دې اساس چې د موادو ټیکنالوژۍ او ایپیټیکسیل ودې ټیکنالوژۍ کې کومه نوې لاسته راوړنه نشته، د یو واحد سیمیکمډکټر لیزر چپ د تولید ځواک ښه کولو اصلي لاره د چپ د روښانه سیمې د پټې پلنوالی زیاتول دي. په هرصورت، د پټې پلنوالی ډیر لوړول د ټرانسورس لوړ ترتیب حالت oscillation او filamentlike oscillation تولید کول اسانه دي، کوم چې به د رڼا تولید یوشانوالی خورا کم کړي، او د محصول ځواک د پټې پلنوالي سره په متناسب ډول نه زیاتیږي، نو د یو واحد چپ د تولید ځواک خورا محدود دی. د محصول ځواک د ډیر ښه کولو لپاره، د صف ټیکنالوژي رامینځته کیږي. ټیکنالوژي په ورته سبسټریټ کې ډیری لیزر واحدونه مدغم کوي، ترڅو د هر رڼا خپریدونکي واحد په ورو محور لوري کې د یو اړخیز صف په توګه قطار شي، تر هغه چې د نظري جلا کولو ټیکنالوژي په صف کې د هر رڼا خپریدونکي واحد جلا کولو لپاره وکارول شي، ترڅو دوی د یو بل سره مداخله ونکړي، د څو اپرچر لیزینګ جوړوي، تاسو کولی شئ د مدغم رڼا خپریدونکي واحدونو شمیر زیاتولو سره د ټول چپ د تولید ځواک زیات کړئ. دا نیمه‌مده لیزر چپ د نیمه‌مده لیزر صف (LDA) چپ دی، چې د نیمه‌مده لیزر بار په نوم هم پیژندل کېږي.