د ایج ایمیټینګ لیزر (EEL) پیژندنه

د ایج ایمیټینګ لیزر (EEL) پیژندنه
د لوړ ځواک سیمیکمډکټر لیزر محصول ترلاسه کولو لپاره ، اوسنۍ ټیکنالوژي د څنډې اخراج جوړښت کارول دي. د څنډه اخراجونکي سیمیکمډکټر لیزر ریزونټر د سیمیکمډکټر کرسټال د طبیعي جلا کیدو سطح څخه جوړ شوی ، او د محصول بیم د لیزر د مخکني پای څخه خارج کیږي. د محصول ځای بیم دی، د بیم کیفیت خراب دی، او د بیم شکل باید د بیم شکل ورکولو سیسټم سره تعدیل شي.
لاندې ډیاګرام د څنډه جذبونکي سیمیکمډکټر لیزر جوړښت ښیې. د EEL نظری غار د سیمی کنډکټر چپ سطح سره موازي دی او د سیمیکمډکټر چپ په څنډه کې لیزر خارجوي ، کوم چې کولی شي د لوړ ځواک ، لوړ سرعت او ټیټ شور سره د لیزر محصول احساس کړي. په هرصورت، د EEL لخوا د لیزر بیم تولید عموما غیر متناسب بیم کراس برخه او لوی زاویه توپیر لري، او د فایبر یا نورو نظری اجزاو سره د یوځای کولو موثریت ټیټ دی.

د EEL تولید بریښنا زیاتوالی په فعاله سیمه کې د کثافاتو تودوخې راټولول او د سیمیکمډکټر سطح کې نظری زیان محدود دی. د تودوخې تحلیل ښه کولو لپاره په فعاله سیمه کې د کثافاتو تودوخې راټولولو کمولو لپاره د څپې ساحې په زیاتولو سره ، د تودوخې تخریب ته وده ورکولو لپاره د بیم د آپټیکل بریښنا کثافت کمولو لپاره د ر lightا تولید ساحې زیاتول ترڅو د نظری زیان مخه ونیسي ، د څو سوه ملی واټ تولید بریښنا کولی شي. د واحد ټرانسورس حالت موج لارښود جوړښت کې ترلاسه کیدی شي.
د 100mm ویوګایډ لپاره، یو واحد څنډه اخراجونکي لیزر کولی شي د لسګونو واټ تولید بریښنا ترلاسه کړي، مګر پدې وخت کې د ویو ګایډ د چپ په الوتکه کې خورا ملټي موډ دی، او د تولید بیم اړخ تناسب هم 100: 1 ته رسیږي، د بیم شکل ورکولو پیچلي سیسټم ته اړتیا لري.
په دې اساس چې د مادي ټیکنالوژۍ او اپیټیکسیل ودې ټیکنالوژۍ کې کوم نوی پرمختګ شتون نلري ، د یو واحد سیمیک کنډکټر لیزر چپ تولید ځواک ته وده ورکولو اصلي لاره د چپ د روښانه سیمې پټې پلنوالی لوړول دي. په هرصورت، د پټې پلنوالی ډیر لوړ کول د ټرانسورس لوړ ترتیب حالت او فلامینټ په څیر oscillation تولید کول اسانه دي، کوم چې به د رڼا تولید یوشانوالی خورا کم کړي، او د تولید بریښنا د پټې پلنوالی سره په متناسب ډول نه وده کوي، نو د تولید ځواک د تولید ځواک. یو واحد چپ خورا محدود دی. د دې لپاره چې د تولید ځواک خورا ښه کړي، د صف ټیکنالوژي منځ ته راځي. دا ټیکنالوژي په ورته سبسټریټ کې ډیری لیزر واحدونه مدغم کوي ، ترڅو هر د ر lightا اخراج کونکي واحد د سست محور په لور د یو ابعادي صف په توګه ودریږي ، تر هغه چې د نظري جلا کولو ټیکنالوژي په صف کې د هر ر lightا اخراج کونکي واحد جلا کولو لپاره کارول کیږي. ، د دې لپاره چې دوی یو له بل سره مداخله ونکړي ، د څو اپرچر لیزنګ رامینځته کوي ، تاسو کولی شئ د مدغم ر lightا اخراج کونکي واحدونو شمیر په زیاتولو سره د ټول چپ تولید ځواک ډیر کړئ. دا د سیمی کنډکټر لیزر چپ د سیمی کنډکټر لیزر سرنی (LDA) چپ دی چې د سیمی کنډکټر لیزر بار په نوم هم پیژندل کیږي.