-
Rof Electro-optic modulator 1550nm AM سلسله د لوړ له منځه تلو تناسب شدت ماډلټر
د ROF-AM-HER لړۍ د الیکٹرو آپټیک ماډلټر لوړ د ورکیدو تناسب د M - Z فشار - پل جوړښت شدت پراساس ، د ټیټ نیم څپې ولټاژ او مستحکم فزیکي او کیمیاوي ځانګړتیاوې لري ، د ځانګړي ټیکنالوژۍ په کارولو سره وسیله د لوړ تخریب تناسب سره ډاډ ترلاسه کوي. DC، او وسیله د لوړ غبرګون سرعت لري، او له همدې امله په پراخه کچه د رڼا نبض جنراتور، نظری فایبر سینسنگ، لیزر رادار، او نورو برخو کې کارول کیږي.
-
Rof Electro-optic modulator 1550nm AM لړۍ Intensity Modulator 10G mach-zehnder modulator
د LiNbO3 شدت ماډلیټر (mach zehnder modulator) په پراخه کچه د لوړ سرعت نظری ارتباط سیسټم، لیزر سینسنګ او ROF سیسټمونو کې کارول کیږي ځکه چې د ښه الیکٹرو آپټیک فعالیت له امله.د R-AM لړۍ د MZ push-pul structure او X-cut ډیزاین پراساس ، مستحکم فزیکي او کیمیاوي ځانګړتیاوې لري ، کوم چې دواړه په لابراتوار تجربو او صنعتي سیسټمونو کې پلي کیدی شي.
-
Rof الیکټرو اپټیک ماډلټر 1550nm AM لړۍ شدت ماډلیټر 2.5G
د LiNbO3 شدت ماډلیټر په پراخه کچه د لوړ سرعت نظری مخابراتو سیسټم ، لیزر سینسنګ او ROF سیسټمونو کې د ښه الیکټرو - آپټیک فعالیت له امله کارول کیږي.د R-AM لړۍ د MZ push-pul structure او X-cut ډیزاین پراساس ، مستحکم فزیکي او کیمیاوي ځانګړتیاوې لري ، کوم چې دواړه په لابراتوار تجربو او صنعتي سیسټمونو کې پلي کیدی شي.
-
Rof الیکټرو اپټیک ماډلیټر 1550nm AM لړۍ شدت ماډلیټر 20G
د LiNbO3 شدت ماډلیټر په پراخه کچه د لوړ سرعت نظری مخابراتو سیسټم ، لیزر سینسنګ او ROF سیسټمونو کې د ښه الیکټرو - آپټیک فعالیت له امله کارول کیږي.د R-AM لړۍ د MZ push-pul structure او X-cut ډیزاین پراساس ، مستحکم فزیکي او کیمیاوي ځانګړتیاوې لري ، کوم چې دواړه په لابراتوار تجربو او صنعتي سیسټمونو کې پلي کیدی شي.
-
Rof الیکټرو اپټیک ماډلیټر 1550nm AM لړۍ شدت ماډلیټر 40G
د LiNbO3 شدت ماډلیټر په پراخه کچه د لوړ سرعت نظری مخابراتو سیسټم ، لیزر سینسنګ او ROF سیسټمونو کې د ښه الیکټرو - آپټیک فعالیت له امله کارول کیږي.د R-AM لړۍ د MZ push-pul structure او X-cut ډیزاین پراساس ، مستحکم فزیکي او کیمیاوي ځانګړتیاوې لري ، کوم چې دواړه په لابراتوار تجربو او صنعتي سیسټمونو کې پلي کیدی شي.
