-
Rof الیکټرو اپټیک ماډلیټر 1550nm فیز ماډلیټر 10G لینبو 3 ماډلیټر
د LiNbO3 مرحلې ماډلیټر (linbo3 modulator) په پراخه کچه د لوړ سرعت نظری ارتباط سیسټم ، لیزر سینس کولو او ROF سیسټمونو کې د ښه الیکټرو - آپټیک تاثیر له امله کارول کیږي.د R-PM لړۍ د Ti-diffused او APE ټیکنالوژۍ پراساس ، مستحکم فزیکي او کیمیاوي ځانګړتیاوې لري ، کوم چې کولی شي په لابراتوار تجربو او صنعتي سیسټمونو کې د ډیری غوښتنلیکونو اړتیا پوره کړي.
-
Rof الیکټرو - آپټیک ماډلیټر 1064nm Eo ماډلیټر مرحله ماډلیټر 10G
د LiNbO3 مرحلې ماډلیټر په پراخه کچه د لوړ سرعت آپټیکل مخابراتو سیسټم ، لیزر سینس کولو او ROF سیسټمونو کې د ښه الیکټرو - آپټیک تاثیر له امله کارول کیږي.د R-PM لړۍ د Ti-diffused او APE پر بنسټ
ټیکنالوژي، باثباته فزیکي او کیمیاوي ځانګړتیاوې لري، کوم چې کولی شي په لابراتوار تجربو او صنعتي سیسټمونو کې د ډیری غوښتنلیکونو اړتیا پوره کړي.
-
Rof Electro-optic modulator 1064nm ټيټ Vpi پړاو موډلټر
Rof-PM-UV لړۍ د ټیټ-Vpi مرحله ماډلیټرد ټیټ نیم څپې ولتاژ لري(2V)د ټیټ داخلولو ضایع، لوړ بینډ ویت، د نظری بریښنا لوړ زیان ځانګړتیاوې، د تیز رفتار نظری ارتباط سیسټم کې چیرپ په عمده توګه د رڼا کنټرول لپاره کارول کیږي، د همغږي مخابراتي سیسټم مرحلې بدلون، د غاړې بانډ ROF سیسټم او د نوری فایبر مخابراتي سیسټم سمول کمولو لپاره کارول کیږي. د برسبین ژور محرک توزیع (SBS)، او نور.
-
Rof الیکټرو-اپټیک ماډلیټر 1550nm فیز ماډلیټر 40G لیتیم نوبیټ ماډلټر
د لیتیم نایوبیټ الیکټرو-اپټیکل مرحلې ماډلیټر (لیتیم نایوبیټ ماډلیټر) د ټایټانیم ډیفیوژن پروسې پراساس د ټیټ داخلولو زیان ، لوړ ماډل بینډ ویت ، ټیټ نیم څپې ولټاژ ، لوړ زیان آپټیکل بریښنا او داسې نور ځانګړتیاوې لري. دا په عمده ډول د آپټیکل برخو کې کارول کیږي. د تیز رفتار نظری مخابراتی سیسټمونو کې چیرپ کنټرول، په همغږي مخابراتي سیسټمونو کې د مرحلې بدلون، د ROF سیسټمونو کې د غاړې بانډونو تولید، او د انلاګ آپټیکل فایبر مخابراتي سیسټمونو کې د محرک بریلوین سکریټرینګ (SBS) کمول.
-
Rof الیکټرو اپټیک ماډلیټر 1550nm فیز ماډلیټر 20G لیتیم نوبیټ ماډلټر
د لیتیم نایوبیټ الیکټرو-اپټیکل مرحلې ماډلیټر (لیتیم نایوبیټ ماډلیټر) د ټایټانیم ډیفیوژن پروسې پراساس د ټیټ داخلولو زیان ، لوړ ماډل بینډ ویت ، ټیټ نیم څپې ولټاژ ، لوړ زیان آپټیکل بریښنا او داسې نور ځانګړتیاوې لري. دا په عمده ډول د آپټیکل برخو کې کارول کیږي. د تیز رفتار نظری مخابراتی سیسټمونو کې چیرپ کنټرول، په همغږي مخابراتي سیسټمونو کې د مرحلې بدلون، د ROF سیسټمونو کې د غاړې بانډونو تولید، او د انلاګ آپټیکل فایبر مخابراتي سیسټمونو کې د محرک بریلوین سکریټرینګ (SBS) کمول.
-
Rof الیکټرو-اپټیک ماډلیټر لیتیم نایوبیټ ماډلیټر 1550nm فیز ماډلیټر
د لیتیم نایوبیټ الیکټرو - آپټیک مرحلې ماډلیټر (لیتیم نایوبیټ ماډلیټر) ټیټ داخلی ضایع ، لوړ بینډ ویت ، ټیټ نیم څپې ولټاژ ، د نظری بریښنا لوړ زیان ځانګړتیاوې لري ، د لوړ سرعت نظری مخابراتو سیسټم کې چیرپ په عمده ډول د ر lightا کنټرول ، مرحلې بدلون لپاره کارول کیږي د همغږي مخابراتي سیسټم ، د غاړې بانډ ROF سیسټم او په برسبین ژور محرک سکیټرینګ (SBS) کې د آپټیکل فایبر مواصلاتي سیسټم سمولیشن کمول ، او داسې نور.
-
Rof Electro-optic modulator 780nm فیز ماډلټر 10G
د ROF-PM لړۍ 780nm لیتیم نایوبیټ الیکټرو اپټیک مرحله ماډلیټر د پروټون تبادلې پرمختللي ټیکنالوژي غوره کوي ، د ټیټ ننوتلو ضایع کیدو سره ، د لوړ ماډل بینډ ویت ، ټیټ نیم څپې ولټاژ نور ځانګړتیاوې ، په عمده ډول د سپیس آپټیکل مخابراتي سیسټم کې کارول کیږي ، د سیزیم اټومي وخت حواله ، سپیکٹرم پراخه کول , interferometry، او نورو برخو کې.
-
Rof Electro-optic modulator 850nm فیز ماډلټر 10G
د LiNbO3 مرحلې ماډلیټر په پراخه کچه د لوړ سرعت آپټیکل مخابراتو سیسټم ، لیزر سینس کولو او ROF سیسټمونو کې د ښه الیکټرو - آپټیک تاثیر له امله کارول کیږي.د R-PM لړۍ د Ti-diffused او APE ټیکنالوژۍ پراساس ، مستحکم فزیکي او کیمیاوي ځانګړتیاوې لري ، کوم چې کولی شي په لابراتوار تجربو او صنعتي سیسټمونو کې د ډیری غوښتنلیکونو اړتیا پوره کړي.
-
Rof الیکټرو اپټیک ماډلیټر 1310nm فیز ماډلیټر 10G
د LiNbO3 مرحلې ماډلیټر په پراخه کچه د لوړ سرعت آپټیکل مخابراتو سیسټم ، لیزر سینس کولو او ROF سیسټمونو کې د ښه الیکټرو - آپټیک تاثیر له امله کارول کیږي.د R-PM لړۍ د Ti-diffused او APE ټیکنالوژۍ پراساس ، مستحکم فزیکي او کیمیاوي ځانګړتیاوې لري ، کوم چې کولی شي په لابراتوار تجربو او صنعتي سیسټمونو کې د ډیری غوښتنلیکونو اړتیا پوره کړي.
-
Rof الیکټرو اپټیک ماډلیټر 1550nm فیز ماډلیټر 300M
د LiNbO3 مرحلې ماډلیټر په پراخه کچه د لوړ سرعت آپټیکل مخابراتو سیسټم ، لیزر سینس کولو او ROF سیسټمونو کې د ښه الیکټرو - آپټیک تاثیر له امله کارول کیږي.د R-PM لړۍ د Ti-diffused او APE ټیکنالوژۍ پراساس ، مستحکم فزیکي او کیمیاوي ځانګړتیاوې لري ، کوم چې کولی شي په لابراتوار تجربو او صنعتي سیسټمونو کې د ډیری غوښتنلیکونو اړتیا پوره کړي.
-
Rof الیکټرو اپټیک ماډلیټر 1550nm فیز ماډلیټر 10G
د LiNbO3 مرحلې ماډلیټر په پراخه کچه د لوړ سرعت آپټیکل مخابراتو سیسټم ، لیزر سینس کولو او ROF سیسټمونو کې د ښه الیکټرو - آپټیک تاثیر له امله کارول کیږي.د R-PM لړۍ د Ti-diffused او APE ټیکنالوژۍ پراساس ، مستحکم فزیکي او کیمیاوي ځانګړتیاوې لري ، کوم چې کولی شي په لابراتوار تجربو او صنعتي سیسټمونو کې د ډیری غوښتنلیکونو اړتیا پوره کړي.
-
د ROF الیکټرو-اپټیک ماډلیټر ټیټ-Vpi مرحله ماډلیټر
د ROF-PM-UV لړۍ ټیټ-Vpi مرحله ماډلیټر د ټیټ نیم څپې ولټاژ (2.5V) لري، د ټیټ داخلولو ضایع، لوړ بینډ ویت، د نظری بریښنا لوړ زیان ځانګړتیاوې، د لوړ سرعت نظری ارتباط سیسټم کې چیرپ په عمده توګه د رڼا کنټرول لپاره کارول کیږي. ، د همغږي مخابراتي سیسټم مرحلې بدلون ، د غاړې بانډ ROF سیسټم او په برسبین ژور محرک سکیټرینګ (SBS) کې د آپټیکل فایبر مواصلاتي سیسټم سمولیشن کمول ، او داسې نور.
