Rof الیکټرو-اپټیک ماډلټر 780nm LiNbO3 شدت ماډلیټر 10G

Rof Electro-optic modulator 780nm LiNbO3 شدت ماډلټر 10G ځانګړی انځور

لنډ تفصیل:

د LiNbO3 شدت ماډلیټر په پراخه کچه د لوړ سرعت نظری مخابراتو سیسټم ، لیزر سینسنګ او ROF سیسټمونو کې د ښه الیکټرو - آپټیک فعالیت له امله کارول کیږي. د R-AM لړۍ د MZ push-pul structure او X-cut ډیزاین پراساس ، مستحکم فزیکي او کیمیاوي ځانګړتیاوې لري ، کوم چې دواړه په لابراتوار تجربو او صنعتي سیسټمونو کې پلي کیدی شي.

موږ ته بریښنالیک واستوئ ډاونلوډ کړئ

د محصول تفصیل

Rofea Optoelectronics د آپټیکل او فوټونیکس الیکټرو آپټیک ماډلیټر محصولات وړاندیز کوي

د محصول ټګ

فیچر

* د ټیټ داخلولو زیان
* لوړ بینډ ویت
* ټیټ نیم څپې ولتاژ
* د اصلاح کولو اختیار

د الیکټرو-اپټیک ماډلیټر الیکټرو آپټیکل ماډلیټر LiNbO3 شدت ماډلیټر MZM ماډلیټر مچ-زهندر ماډلیټر LiNbO3 ماډلیټر لیتیم نایوبیټ ماډلټر

غوښتنلیک

⚫ د ROF سیسټمونه
⚫ د کوانټم کلیدي توزیع
⚫ د لیزر سینسنګ سیسټمونه
⚫ د غاړې بانډ ماډلول

Rof-AM لړۍ	Rof-AM-07	Rof-AM-08	Rof-AM-10	Rof-AM-13	Rof-AM-15
عملیاتي طول موج	780nm	850nm	1064nm	1310nm	1550nm
بانډ ویت	10GHz	10GHz	10/20GHz	2.5GHz	50GHz	10GHz	20GHz	40GHz
د ننوتلو ضایع	~5dB	~5dB	＜5dB	＜5dB	＜4dB
د ورکیدو تناسب @DC	د20dB	د20dB	د20dB	د20dB	د20dB
V_Π@RF (1KHz)	j3V	j3V	＜4V	<3.5V	＜6V	<5V
V_Π@ تعصب	＜3.5V	＜3.5V	~5V	<5V	<8V	<7V

د امر کولو معلومات

Rof

XXG

ډول: AM--- د شدت ماډلیټر

طول موج:

07---780nm
08---850nm

10---1060nm

13---1310nm

15---1550nm

بانډ ویت:

10GHz

20GHz

40GHz

50GHz

د څارنې PD:

PD--- د PD سره
00 --- نه PD

په بهر کې د فایبر ډول: PP---PM/PM

آپټیکل نښلونکی: FA---FC/APCFP---FC/PC

SP--- اصلاح کول

R-AM-07-10G

Wavalength 710nm 10GHz شدت ماډلټر

پیرامیټر				سمبول		من	ټایپ	مکس	واحد
نظری پیرامیټونه
عملیاتي طول موج				l		۷۶۰	۷۸۰	۸۰۰	nm
د ننوتلو زیان				IL			4.5	5	dB
د نظری بیرته ستنیدو ضایع				ORL				-۴۵	dB
د ورکیدو تناسب بدل کړئ @DC				ER@DC		20	23		dB
آپټیکل فایبر	داخلولبندر					PM۷۸۰فایبر (125/250μm)
	د تولید بندر					PM۷۸۰فایبر (125/250μm)
د نوری فایبر انٹرفیس						FC/PC، FC/APC یا اصلاح کول
بریښنایی پیرامیټونه
عملیاتي بینډ ویت(-3dB)					S₂₁	10	12		GHz
د نیم څپې ولتاژ Vpi		RF			@1KHz		2.5	3	V
		تعصب			@1KHz		3	4	V
د بریښنا بیرته ستنیدل					S₁₁		-۱۲	-10	dB
د ننوتلو خنډ			RF		Z_RF	50			W
			تعصب		Z_BIAS	1M			W
بریښنایی انٹرفیس						SMA(f)

د محدودیت شرایط

پیرامیټر	سمبول	واحد	من	ټایپ	مکس
د نظری ځواک داخلول	P_{په، اعظمي}	dBm			20
د RF ځواک داخل کړئ		dBm			28
تعصب ولتاژ	Vbias	V	-15		15
عملیاتي حرارت	پورته	℃	-10		60
د ذخیره کولو حرارت	Tst	℃	-۴۰		85
رطوبت	RH	%	5		90

S21 وکر

&S11 وکر

S21 & s11 منحنی

میخانیکي ډیاګرام

پورټ	سمبول	نوټ
په	آپټیکل ان پټ بندر	PM فایبر (125μm/250μm)
بهر	د نظری محصول بندر	د PM او SMF اختیار
RF	د RF ان پټ بندر	SMA(f)
تعصب	د تعصب کنټرول بندر	1,2 تعصب، 34-N/C

مخکینی: Rof الیکټرو اپټیک ماډلیټر 1550nm LiNbO3 شدت ماډلیټر 50G

بل: Rof الیکټرو اپټیک ماډلیټر 1064nm Eo ماډلیټر LiNbO3 مرحله ماډلیټر 2G

Rofea Optoelectronics د سوداګریزو الیکټرو اپټیک ماډلیټرونو محصول لاین وړاندې کوي، د مرحلې ماډلیټرانو، د شدت ماډلیټر، فوتوډیټیکټر، د لیزر رڼا سرچینې، DFB لیزرونه، آپټیکل امپلیفیرونه، EDFA، SLD لیزر، QPSK ماډلول، د نبض لیزر، د رڼا ډرایور، لایټ ډرایور، لایټ ډیټیکټر، بالسر. ، د فایبر آپټیک امپلیفیر ، آپټیکل بریښنا میټر ، براډ بانډ لیزر ، د تونیبل لیزر ، آپټیکل کشف کونکی ، لیزر ډایډ چلوونکی ، فایبر امپلیفیر. موږ د تخصیص لپاره ډیری ځانګړي ماډلټرونه هم چمتو کوو ، لکه د 1 * 4 سرې مرحلې ماډلټرونه ، الټرا ټیټ Vpi ، او د خورا لوړ ختمیدو تناسب ماډلټرونه چې په ابتدايي ډول په پوهنتونونو او انسټیټیوټونو کې کارول کیږي.
امید لرو چې زموږ محصولات به ستاسو او ستاسو څیړنې سره ګټور وي.