د ROF Si تنظیم وړ ګټې فوټوډیټیکټر سیلیکون فوټوډیټیکټر
ځانګړتیا
د طیفي حد: 320nm ~ 1100nm
د 3dB بینډ ویت: تر 11MHz پورې
l د اعظمي ګټې ترتیب: 4.75 × 106 V/A (د لوړ خنډ بار)
l ټیټ شور
l د فضايي نظري کوپلینګ ان پټ، د فایبر کوپلینګ اختیاري
غوښتنلیک
کمزوری رڼا کشف
د فایبر آپټیک سینسنګ سیسټم
د فضا نوري مخابرات
د امر کولو معلومات
| ماډل پیرامیټر | آر او ایف-PR-11M-B د محصول ځانګړتیاوې | آر او ایف-PR-13M-A د محصول ځانګړتیاوې |
| د غبرګون فریکونسي | ډي سي-۱۱ مېګاهرتز | ډي سي-۱۳ میګاهرتز |
| ډول | سیلیکون (سي) | انډیم ګالیم ارسنایډ (InGaAs) |
| د رڼا سره حساسیت ۱ | ۳۲۰ نانومیټر ~ ۱۱۰۰ نانومیټر | ۹۰۰ نانومیټر ~ ۱۷۰۰ نانومیټر |
| د عکسونو حساس ساحه | Ø۹.۸ ملي متره (۷۵.۴ ملي متره)2 ) | Ø۱.۰ ملي متره (۰.۸ ملي متره)2 ) |
یادونه ۱: نږدې ارزښت؛ د حقیقي طول موج ارزښت ممکن توپیر ولري
پیرامیټونه
| د فعالیت مشخصات 2 (د KG-PR-11M-B لپاره تفتیش وسپارئ، موږ به په 24 ساعتونو کې له تاسو سره اړیکه ونیسو.) | |||
| ۰ ډیسیبل تنظیم کول | ۴۰ ډیس بی تنظیم کول | ||
| لاسته راوړنه (لوړ مقاومت> 5k Ω) | ۱.۵۰ x ۱۰3د V/A ±2٪ | لاسته راوړنه (لوړ مقاومت> 5k Ω) | ۱.۵۰ x ۱۰5د V/A ±2٪ |
| ګټه (۵۰ Ω) | ۰.۷۵ x ۱۰3د V/A ±2٪ | ګټه (۵۰ Ω) | ۰.۷۵ x ۱۰5د V/A ±2٪ |
| د 3dB بینډ ویت 3 | ۱۱ میګاهرتز | د 3dB بینډ ویت | ۱۵۰ زره |
| شور (RMS) | ۴۰۰ یوویلټ | شور (RMS) | ۵۰۰ یوویلټ |
| تعصب | ±8 mV (ډول.) ±20mV (اعظمي) | تعصب | ±8 mV (ډول.) ±20mV (اعظمي) |
| ۱۰ ډیس بی تنظیم کول | ۵۰ ډیس بی تنظیم کول | ||
| لاسته راوړنه (لوړ مقاومت> 5k Ω) | ۴.۷۵ x ۱۰3د V/A ±2٪ | لاسته راوړنه (لوړ مقاومت> 5k Ω) | ۴.۷۵ x ۱۰5د V/A ±2٪ |
| ګټه (۵۰ Ω) | ۲.۳۸ x ۱۰3د V/A ±2٪ | ګټه (۵۰ Ω) | ۲.۳۸ x ۱۰5د V/A ±2٪ |
| د 3dB بینډ ویت | ۱.۴ میګاهرتز | د 3dB بینډ ویت | ۵۰ زره |
| شور (RMS) | ۳۵۰ یو وی | شور (RMS) | ۵۲۰ واټه |
| تعصب | ±8 mV (ډول.) ±20mV (اعظمي) | تعصب | ±8 mV (ډول.) ±20mV (اعظمي) |
| ۲۰ ډیس بی تنظیم کول | ۶۰ ډیس بی تنظیم کول | ||
| لاسته راوړنه (لوړ مقاومت> 5k Ω) | ۱.۵۰ x ۱۰4د V/A ±2٪ | لاسته راوړنه (لوړ مقاومت> 5k Ω) | ۱.۵۰ x ۱۰6د V/A ±2٪ |
| ګټه (۵۰ Ω) | ۰.۷۵ x ۱۰4د V/A ±2٪ | ګټه (۵۰ Ω) | ۰.۷۵ x ۱۰6د V/A ±2٪ |
| د 3dB بینډ ویت | ۱.۰ میګاهرتز | د 3dB بینډ ویت | ۲۰ زره |
| شور (RMS) | ۳۸۰ یو وی | شور (RMS) | ۷۶۰ یو وی |
| تعصب | ±8 mV (ډول.) ±20mV (اعظمي) | تعصب | ±8 mV (ډول.) ±20mV (اعظمي) |
| ۳۰ ډیس بی تنظیم کول | ۷۰ ډیسیبل تنظیم کول | ||
| لاسته راوړنه (لوړ مقاومت> 5k Ω) | ۴.۷۵ x ۱۰4د V/A ±2٪ | لاسته راوړنه (لوړ مقاومت> 5k Ω) | ۴.۷۵ x ۱۰6د V/A ±2٪ |
| ګټه (۵۰ Ω) | ۲.۳۸ x ۱۰4د V/A ±2٪ | ګټه (۵۰ Ω) | ۲.۳۸ x ۱۰6د V/A ±2٪ |
| د 3dB بینډ ویت | ۴۰۰ زره | د 3dB بینډ ویت | ۱۰ زره |
| شور (RMS) | ۳۸۰ یو وی | شور (RMS) | ۱.۴۳ ملی وولټ |
| تعصب | ±8 mV (ډول.) ±20mV (اعظمي) | تعصب | ±8 mV (ډول.) ±20mV (اعظمي) |
یادونه ۲:آر او ایف-PR-11M-B د 50 Ω لړۍ پای ته رسولو مقاومت لري (یعنې د امپلیفیر محصول سره په لړۍ کې وصل شوی). دا د هر ډول بار خنډ سره د ولټاژ ویشونکی جوړوي (لکه د 50 Ω بار سیګنال په نیمایي کې ویشي).
یادښت ۳: ازموینه د ۸۵۰ نانومیټر طول موج سره ترسره کړئ. د نږدې انفراریډ طول موجونو لپاره، د فوتوډیوډ اجزاو د لوړیدو وخت به ورو شي، کوم چې ممکن د امپلیفیکیشن کشف کونکي مؤثره بینډ ویت محدود کړي.
عمومي پیرامیټرې
| پروژه | سم | ارزښت |
| د کشف کونکي ډول | - | Si |
| د عکس العمل سطحه | - | Ø۹.۸ ملي متره (۷۵.۴ ملي متره)2 ) |
| د لوړ طول موج | λp | ۹۶۰ نانو میتر (ډول.) |
| لوړ غبرګون | ( λ مخ ) | 0.72 A/W (ډول.) |
| د وتلو خنډ | - | ۵۰ اوه |
| د محصول د اوسني اعظمي طول البلد | آی میکس | ۱۰۰ ملي متره |
| د تولید اعظمي ولتاژ اندازه | وی میکس | ۱۰.۰۰V @ لوړ خنډ ۵.۰۰V @ ۵۰ Ω بار |
| د بارولو حد | - | >۵۰ اوه |
| د ګټې تنظیم کولو حد | - | ۰ ډیسیبل ~ ۷۰ ډیسیبل |
| ګام ترلاسه کړئ | - | ۱۰ ډی بي |
| د بریښنا سویچ | - | اړخ |
| د ګین سویچ | - | اتم ګیر |
| محصول | - | SMA (DC Coupling) |
| د محصول ابعاد | - | ۶۶.۶ ملي متره * ۵۲.۲ ملي متره * ۲۲.۴ ملي متره |
| د PD سطحې ژوروالی ۴ | - | ۶.۱ ملي متره |
| وزن (د لوازمو پرته) | - | ۷۰ ګرامه |
| لوازمات | - | د SM1T1 جوړه، د SM1RR ساتلو حلقه |
| د برېښنا رسونه | - | د AC-DC ± 12V اډاپټر |
| د بریښنا رسولو واټج | - | ۶ واټه ۱۰۰V/۱۲۰V/۲۳۰V، ۵۰-۶۰ هرټز |
یادونه ۴: د کور جوړښت له سطحې څخه د فوټوډیوډ سطحې ته نږدې لوړوالی ممکن په عمل کې د نصب کولو غلطیو لامل شي.
د محدودولو حالت
| پیرامیټر | سم | واحد | لږترلږه | عادي | اعظمي |
| د ننوتنې نظري ځواک | ټویټ | mW | - | - | 25 |
| کاري ولتاژ | ووپ | V | ±۱۰.۸ | ±۱۲ | ±۱۳.۲ |
| د عملیاتي تودوخې درجه | پورته | د تودوخې درجه | -۱۰ | - | 60 |
| د ذخیره کولو تودوخه | ټسټ | د تودوخې درجه | -۴۰ | - | 85 |
| رطوبت | RH | % | 5 | - | 90 |
کږه
د ځانګړتیا منحنی
آر او ایف-PR-11M-B د حساسیت غبرګون ډیاګرام
د بسته بندۍ اندازه (ملي متره)
زموږ په اړه
روفیا آپټو الیکترونیک د الیکترونیکي آپټیک محصولاتو پراخه لړۍ نندارې ته وړاندې کوي پشمول د ماډولیټرونو، فوتوډیټیکټرونو، لیزر سرچینو، dfb لیزرونو، آپټیکل امپلیفیرونو، EDFAs، SLD لیزرونو، QPSK ماډولیټرونو، نبض شوي لیزرونو، فوتوډیټیکټرونو، متوازن فوتوډیټیکټرونو، سیمیکمډکټر لیزرونو، لیزر ډرایورز، فایبر کوپلرونو، نبض شوي لیزرونو، فایبر امپلیفیرونو، آپټیکل بریښنا میټرونو، براډبنډ لیزرونو، ټون ایبل لیزرونو، آپټیکل ځنډونه، الکترو آپټیک ماډولیټرونو، فوټوډیټیکټرونو، لیزر ډایډ ډرایورز، فایبر امپلیفیرونو، ایربیوم-ډوپ شوي فایبر امپلیفیرونو، او سرچینې لیزرونو.
موږ دودیز ماډولیټرونه هم چمتو کوو، پشمول د 1*4 اری فیز ماډولیټرونه، الټرا ټیټ Vpi او الټرا لوړ ختمیدونکي تناسب ماډولیټرونه، کوم چې په ځانګړي ډول د پوهنتونونو او څیړنیزو موسسو لپاره ډیزاین شوي.
دا محصولات تر ۴۰ GHz پورې الکترو آپټیک بینډ ویت، د ۷۸۰ nm څخه تر ۲۰۰۰ nm پورې د طول موج، د ټیټ داخلولو ضایع، ټیټ Vp، او لوړ PER لري، چې دوی د مختلفو انلاګ RF لینکونو او د لوړ سرعت مخابراتي غوښتنلیکونو لپاره مناسب کوي.
روفیا آپټو الیکترونیک د سوداګریزو الیکټرو آپټیک ماډولټرونو، فیز ماډولټرونو، د شدت ماډولټرونو، فوټو ډیټیکټرونو، لیزر رڼا سرچینو، DFB لیزرونو، آپټیکل امپلیفیرونو، EDFA، SLD لیزر، QPSK ماډولیشن، نبض لیزر، د رڼا کشف کونکی، متوازن فوټو ډیټیکټر، لیزر ډرایور، فایبر آپټیک امپلیفیر، آپټیکل بریښنا میټر، براډبنډ لیزر، ټون ایبل لیزر، آپټیکل ډیټیکټر، لیزر ډایډ ډرایور، فایبر امپلیفیر محصولاتو لړۍ وړاندې کوي. موږ د دودیز کولو لپاره ډیری ځانګړي ماډولټرونه هم چمتو کوو، لکه د 1*4 اری فیز ماډولټرونه، الټرا ټیټ Vpi، او الټرا لوړ ختمیدونکي تناسب ماډولټرونه، چې په عمده توګه په پوهنتونونو او انسټیټیوټونو کې کارول کیږي.
هیله ده چې زموږ محصولات به ستاسو او ستاسو د څیړنې لپاره ګټور وي.
